北京航天微电申请FBAR空腔结构优化相关专利，有效解决FBAR空腔结构的Dishing深度过大的问题
发布时间：2025-06-07 16:51 浏览量：9
金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，北京航天微电科技有限公司申请一项名为“一种FBAR空腔结构优化方法及FBAR空腔结构”的专利，公开号CN120110348A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，具体公开一种FBAR空腔结构优化方法及FBAR空腔结构，包括：将氮化硅薄膜作为氮化硅截止层并沉积至基片，并在基片上刻蚀预设深度空腔，得到第一空腔结构；将目标厚度的牺牲层材料沉积并完全填充至第一空腔结构，得到并对第二空腔结构上的牺牲层材料进行平坦化粗抛，直到晶圆从氮化硅截止层全部露出，得到第三空腔结构；利用湿法腐蚀方法去除第三空腔结构上剩余氮化硅截止层并进行晶圆清洗，以得到优化后的FBAR空腔结构。
天眼查资料显示，北京航天微电科技有限公司，成立于1988年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1886.7925万人民币。通过天眼查大数据分析，北京航天微电科技有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目240次，专利信息206条，此外企业还拥有行政许可4个。
