中芯集成电路申请一种低温漂的 XBAR 谐振器及其制备方法专利，使得谐振器可靠性高，温漂性能好，机械性能更强

金融界 2025 年 4 月 21 日消息，国家知识产权局信息显示，中芯集成电路（宁波）有限公司申请一项名为“13479.一种低温漂的 XBAR 谐振器及其制备方法”的专利，公开号 CN119853634A，申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示，本发明涉及集成电路制造技术领域，具体公开一种低温漂的 XBAR 谐振器及其制备方法，该谐振器包括：第一衬底，一侧表面上覆盖有键合层；第一氧化层，一侧表面与所述键合层的表面接触，内部设置有谐振腔和叉指电极，谐振腔与键合层的部分表面接触，叉指电极与谐振腔在第一衬底上的投影重叠；压电层，一侧表面分别与第一氧化层的另一侧表面、叉指电极的一侧表面接触；第二氧化层，覆盖于压电层上。本发明通过在压电层上覆盖第二氧化层，对谐振器进行温度补偿和频率调整，使得谐振器可靠性高，温漂性能好，机械性能也更强；通过第一氧化层包裹叉指电极，使得谐振器温漂系数更好，从而解决了传统的 XBAR 随温度变化，产品的性能不恒定的问题。

天眼查资料显示，中芯集成电路（宁波）有限公司，成立于2016年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本473304.347718万人民币。通过天眼查大数据分析，中芯集成电路（宁波）有限公司参与招投标项目35次，财产线索方面有商标信息65条，专利信息453条，此外企业还拥有行政许可14个。

本文源自金融界